SISS42DN-T1-GE3
Vishay Siliconix
Deutsch
Artikelnummer: | SISS42DN-T1-GE3 |
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Hersteller / Marke: | Electro-Films (EFI) / Vishay |
Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 100V 11.8/40.5A PPAK |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Anzahl | Einzelpreis |
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6000+ | $0.6825 |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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VGS (th) (Max) @ Id | 3.4V @ 250µA |
Vgs (Max) | ±20V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | PowerPAK® 1212-8S |
Serie | TrenchFET® Gen IV |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 14.4mOhm @ 15A, 10V |
Verlustleistung (max) | 4.8W (Ta), 57W (Tc) |
Verpackung / Gehäuse | PowerPAK® 1212-8S |
Paket | Tape & Reel (TR) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Befestigungsart | Surface Mount |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1850 pF @ 50 V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 38 nC @ 10 V |
Typ FET | N-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 7.5V, 10V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 100 V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 11.8A (Ta), 40.5A (Tc) |
Grundproduktnummer | SISS42 |
SISS42DN-T1-GE3 Einzelheiten PDF [English] | SISS42DN-T1-GE3 PDF - EN.pdf |
N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POW
MOSFET N-CH 80V 17.4A/63A PPAK
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MOSFET N-CH 100V 36.5A PPAK
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VISHAY QFN
MOSFET N-CH 45V 29.7A/108A PPAK
P-CHANNEL 60 V (D-S) MOSFET POWE
MOSFET N-CH 100V 12.5/45.3A PPAK
MOSFET N-CH 100V 36.5A PPAK 1212
MOSFET N-CH 80V 17.4A/63A PPAK
MOSFET N-CH 100V 11.3A/39A PPAK
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() SISS42DN-T1-GE3Vishay Siliconix |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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